電圧,温度,厚さの関数としての絶縁破壊を予測する電荷輸送モデル【JST・京大機械翻訳】

Ogden Sean P.; Ogden Sean P.; Xu Yueming; Yeap Kong Boon; Shen Tian; Lu Toh-Ming; Plawsky Joel L.

文献

J-GLOBAL ID：201802290333824104 整理番号：18A2212582

電圧,温度,厚さの関数としての絶縁破壊を予測する電荷輸送モデル【JST・京大機械翻訳】

Charge transport model to predict dielectric breakdown as a function of voltage, temperature, and thickness

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資料名：
巻： 91 号： P2 ページ： 232-242 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

相互接続における最小ピッチが収縮し続けるので,絶縁破壊は,各新技術ノードに対して,ますます困難になっている。標準電圧加速モデルは,迅速ではあるが一般的な誘電品質の評価を提供する。代わりに,一次元電荷輸送モデルを,絶縁破壊の過程を調べるツールとして開発し,なぜそれが起こるかを調べた。このモデルは,移動電子,トラップされた電子,および誘電体中の欠陥に対する構成方程式とPoissonの方程式を結合する。誘電マトリックス中の結合は電場により弱められ,エネルギー電子により破壊され,欠陥を生成する。破壊は臨界欠陥密度に達したときに起こり,トラップからトラップへのトンネリングと電流の急激な増加を引き起こす。このモデルは,電圧,温度および厚さの関数として,漏れ電流および誘電破壊に対する電気データをうまく再現することができた。誘電破壊の活性化エネルギーは電場が減少すると増加することが示され,試験条件と比較して操作条件でより高い活性化エネルギーが得られた。また,誘電体強度は,平面誘電体に対する以前の理論に基づいて,厚さを減少させるために増加し,より薄い誘電体に対して増加するために,破壊対電場勾配を引き起こすことを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス計測・試験・信頼性

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