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J-GLOBAL ID：201802290460630396   整理番号：18A0265929

非平衡電荷キャリアを持つGeSi/Si量子ドットの温度占有率減少【Powered by NICT】

Temperature depopulation of the GeSi/Si quantum dots with non-equilibrium charge carriers

著者 (6件)： Sofronov A.N. (Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia) ,  Vorobjev L.E. (Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia) ,  Firsov D.A. (Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia) ,  Balagula R.M. (Peter the Great St.Petersburg Polytechnic University, Polytechnicheskaya 29, St.Petersburg, 195251, Russia) ,  Tonkikh A.A. (OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, Germany) ,  Tonkikh A.A. (Institute for Physics of Microstructures RAS, GSP-105, Nizhny Novgorod, 603950, Russia)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 107  ページ： 228-233  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は広いスペクトル範囲でGeSi/Si量子ドットにおける平衡と光誘起赤外吸収の温度依存性を研究した。GeSi/Si界面と強い閉込め正孔の大きな価電子バンドオフセットにもかかわらず,GeSi/Si量子ドットの集中温度過疎化の効果は,シリコン価電子帯と量子ドット状態の状態密度の大きな違いのために300K以下の温度でも起こり得ることを示し,電荷キャリアの両極性拡散を限定しない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  正孔 ,  価電子 ,  スペクトル ,  *量子ドット ,  界面 ,  バンドオフセット ,  温度依存性 ,  両極性拡散 ,  状態密度 ,  *占有率 ,  *非平衡状態 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 光誘起 ,  *電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子ドット ,  光誘起吸収 ,  温度占有率減少 ,  Ge/Si

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非平衡 ,  電荷キャリア ,  Si ,  量子ドット ,  占有率