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J-GLOBAL ID：201802290597900069   整理番号：18A1596991

SiN_xベースの導電性ブリッジランダムアクセスメモリの抵抗スイッチング特性と信頼性【JST・京大機械翻訳】

Resistive Switching Characteristics and Reliability of SiN_x-Based Conductive Bridge Random Access Memory

著者 (3件)： Lin Chun-An (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Dai Guang-Jyun (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Tseng Tseung-Yuen (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 9  ページ： 3775-3779  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TiW/SiN/TiN抵抗スイッチングメモリ素子上のTeとTeTiW上部電極(TE)のスイッチング特性を調べた。TeTiW TEデバイスは,その使用後の結合エネルギーの減少のため,より好ましいバイポーラ抵抗スイッチング挙動を示した。この知見をX線光電子分光分析により確認した。TeTiW TE素子のフィラメントは形成後の金属であり,リセット過程は熱溶解機構に対応する。このような現象を説明するために,Teフィラメントに基づく物理モデルを構築した。TeTiW TEデバイスは10~4サイクル以上の優れた耐久性を示し,オン/オフ比は500であった。改良は,成形とセットプロセスの間のフィラメントのロバスト性に起因することができ,それは高温でもその拡散を防ぐ。このデバイスはまた,応力なしで225°Cで10~4sまで長い保持を,-0.3Vの応力で85°Cで10~4sを特徴とした。したがって,それは高密度不揮発性メモリ応用のための高い可能性を有する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： テルル ,  高温 ,  不揮発性メモリ ,  X線光電子分光法 ,  *信頼性 ,  *RAM【メモリ】 ,  結合エネルギー ,  耐久性 ,  *導電性 ,  フィラメント
準シソーラス用語： 物理モデル ,  *スイッチング特性 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  窒化チタン ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  電子管,放電管  (NC02020D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 導電性 ,  ブリッジ ,  ランダムアクセスメモリ ,  スイッチング特性