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J-GLOBAL ID：201802290806041788   整理番号：18A0163495

レーザ支援結合技術を用いた極薄プロファイルフリップチップCSPの開発【Powered by NICT】

Development of extremely thin profile flip chip CSP using laser assisted bonding technology

著者 (11件)： Kim ChoongHoe (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Jung Yanggyoo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Kim MinHo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Yoon TaeHo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Song YunSeok (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Na SeokHo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Park DongJoo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Cho ByoungWoo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Kang DaeByoung (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Lim KwangMo (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea) ,  Khim JinYoung (Adv. Process & Material Development Group, R&D center, Amkor Technology Korea, Inc., 150, SongDo MiRae-ro, Yeonsu-gu, Incheon, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICSJ  ページ： 45-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子製品のための半導体実装技術動向は小型化と高機能化を達成し続けている。金型複雑さが増加すると,フリップチップCSP(fcCSP)のような薄いプロファイルチップスケールパッケージング(CSP)の次世代通信機器とインターネット(IoT)応用のための非常に重要な技術である。最近,ウエハレベルパッケージング(FOWLP)技術を統合ファンはこの分野における次世代解決策の一つとしてますます注目されている。これは極薄プロファイルとパッケージオンパッケージ(PoP)構造とより高い電気的性能の反りを達成するためにユニークな能力に起因した。しかし,このボトムアップウエハレベル技術はまだ費用効果等,これまで,既存の外注半導体組立と試験(OSAT)施設における主流技術になってからそれを妨げている問題を持っている。,薄型フリップチップ技術の必要性が高まっている。需要にもかかわらず,質量リフロー(MR)プロセスを用いた従来の相互接続法バンプとパッドピッチ縮小のための予測可能な限界を持っており,非常に薄い金型コアレス基板を用いた相互接続を支持することができなかった。MRプロセス技術的限界を克服するために,最近の研究は熱応力を最小化するための異なる熱伝達機構を利用することを種々の相互接続やはんだ付けプロセス技術を開発することに焦点を当ててきた。次世代相互接続解としてコアレス基板を用いた超薄型フリップチップパッケージを可能にし,熱エネルギーを制御するために,どのように従来のMRプロセス対制御できるレーザ支援接合(LAB)技術について議論する。LABプロセスは非常に安定な相互接続品質としてロバストな機能的および信頼性試験結果を提供する。添加では,次世代デバイスのためのLABの更なる利点を述べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  相互接続 ,  *フリップチップ法 ,  ロバスト性 ,  熱応力 ,  小型化 ,  *レーザ ,  インターネット ,  通信装置 ,  半導体 ,  信頼性試験 ,  熱伝達 ,  はんだ付 ,  バンプ ,  予測

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザ ,  支援 ,  極 ,  プロファイル ,  フリップチップ ,  CSP ,  開発