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J-GLOBAL ID:201802290979580576   整理番号:18A1517601

原子レベルでのNi-NiO(111)表面上のセンシング反応と電子の移動【JST・京大機械翻訳】

The sensing reaction on the Ni-NiO (111) surface at atomic and molecule level and migration of electron
著者 (5件):
資料名:
巻: 273  ページ: 794-803  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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キャップされたCl-イオンを有するNiO八面体を,400°Cで水性NiCl_2溶液を加熱することによって合成した。合成した立方晶相NiO八面体は{111}表面で囲まれている。アセトン,ホルムアルデヒド,トリエチルアミン及びエタノールに対して,NiO八面体はNiO粒子よりも高い応答を示し,それらの応答は表面Cl-イオン及び-OH基の除去により著しく増加した。水素化NiO八面体のS_rは50ppmのアセトン,ホルムアルデヒド,トリエチルアミン及びエタノールに対してそれぞれ1.46,1.50,2.34及び1.53であった。優れたセンシング特性は,Cl-イオンと-OH基の除去によるNi-NiO表面上の3配位不飽和Ni原子の量の増加に起因した。3配位不飽和Ni原子はセンシング反応活性部位として役立つと考えられ,原子及び分子レベルでガス検知反応機構を提示した。3配位不飽和Ni原子はO_2分子を吸収し,自由電子を生成し,検出ガスと吸着O_2間の反応を触媒する。反応活性部位として働く3配位不飽和Ni原子のセンシング機構は,センシングと他の触媒反応機構の理解,ならびに先進的なガス検知材料と触媒の設計と製造に有用である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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