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J-GLOBAL ID：201802291063441136   整理番号：18A0384979

22nmバルクnFinFETにおける総電離線量の三次元有限要素法シミュレーション【Powered by NICT】

Three-dimensional Finite Elements Method simulation of Total Ionizing Dose in 22nm bulk nFinFETs

著者 (4件)： Chatzikyriakou Eleni (Department of Electrical and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom) ,  Potter Kenneth (Department of Electrical and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom) ,  Redman-White William (Department of Electrical and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom) ,  De Groot C.H. (Department of Electrical and Computer Science, University of Southampton, United Kingdom)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 393  ページ： 39-43  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販ソフトウェアSynopsys Sentaurus TCADを用いた22nmバルクフィン電界効果トランジスタ(FinFET)デバイスに及ぼす総電離線量効果の有限要素法シミュレーションを提示した。シミュレーションパラメータは,零バイアス下で照射した400nm SiO_2キャパシタに関する実験結果と電荷捕獲モデルを較正することによって抽出した。FinFETデバイス特性はインテル22nmバルク技術に較正した。不偏全端末を用いて行ったトランジスタの照射シミュレーションは1mrad(SiO_2)の全線量まで硬度の増加を明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *放射線量 ,  コンデンサ ,  端末装置 ,  *シミュレーション ,  *有限要素法 ,  ソフトウェア ,  FET【トランジスタ】 ,  トランジスタ ,  バイアス
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  電荷捕獲 ,  *FEMシミュレーション ,  *FinFET ,  TCAD ,  *総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 全電離線量 ,  有限要素法 ,  シノプシス ,  シミュレーション ,  FinFET ,  シャロートレンチアイソレーション

分類 (1件)： 線量計測・計測器  (AD08050Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： バルク ,  総電離線量 ,  有限要素法シミュレーション