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J-GLOBAL ID：201802291089170541   整理番号：18A0448022

次元MOSFETモデルに基づくしきい値以下勾配の比較【Powered by NICT】

Comparison of sub-threshold slope based on two-dimensional MOSFET models

著者 (2件)： Zhang Manhong (North China Electric Power University, Beijing, China) ,  Yu Jian (North China Electric Power University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ITNEC  ページ： 344-347  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいソース/ドレイン(S/D)境界条件を持つMOSFETのための二領域(ゲート酸化物と基板空乏領域)二次元(2D)解析的ポテンシャルモデルを用いてサブ閾値傾斜を計算した。基板空乏領域の深さはV_DT法を用いた横方向S-D方向の電場について補正した。結果はV_DT法からの指向性と2次元拡張Berkeleyしきい値電圧モデルから計算したものと比較した。は著者らの結果の正確さを評価するためにS,Dと基板空乏領域境界で得られた2Dポテンシャルの誤差を解析した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  ポテンシャル模型 ,  境界条件 ,  二次元 ,  *MOSFET ,  指向性
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  空乏領域 ,  ゲート酸化膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 次元 ,  MOSFET ,  モデル ,  しきい値 ,  勾配