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J-GLOBAL ID：201802291198082850   整理番号：18A2143148

圧電・超音波材料 スパッタ成膜中にSc金属から発生する高速負イオンがScAlN薄膜の圧電性に及ぼす影響

著者 (2件)： 高柳真司 (名古屋工大 大学院工学研究科) ,  柳谷隆彦 (早稲田大 理工学術院 先進理工)
資料名： 超音波Techno  (超音波テクノ)
巻： 30  号： 6  ページ： 68-72  発行年： 2018年12月01日 
JST資料番号： L2344A  ISSN： 0916-2410  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・ScAlNのスパッタ成膜において,ターゲットに使用するSc量が基板への負イオン照射に及ぼす影響,および結晶配向性や圧電性への影響について検討。
・ターゲットに酸素などの電子親和力の高い物質が含まれていると,一部で負イオンが発生,ターゲットの負バイアスで加速され高速で基板に照射。
・Sc粒の総質量を増加させると,Sc粒に不純物として含まれる酸素や炭素が負イオンO^-やCN^-となり,ターゲットから飛来することが判明。
・ScAlN膜の結晶配向性や圧電性の測定は,負イオン照射によるc軸配向劣化の影響が強く出ることことを示唆,従って圧電性の向上には,基板温度やターゲット温度などの制御により負イオン照射の影響を抑える工夫が必要。

シソーラス用語： *スカンジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化物 ,  スパッタ蒸着 ,  アニオン ,  照射 ,  *薄膜 ,  結晶方位 ,  圧電気 ,  不純物 ,  *圧電素子 ,  生産方式
準シソーラス用語： スパッタ法 ,  圧電デバイス ,  *圧電特性 ,  結晶配向性 ,  酸素イオン ,  炭素イオン ,  粒スパッタ法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 圧電 ,  超音波 ,  スパッタ成膜 ,  Sc ,  負イオン ,  薄膜 ,  圧電性