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J-GLOBAL ID：201802291492128413   整理番号：18A0973545

光電神経形態デバイスのための光刺激IGZOベース電気二重層トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Light Stimulated IGZO-Based Electric-Double-Layer Transistors For Photoelectric Neuromorphic Devices

著者 (5件)： Yang Yi (School of Electronic Science and Engineering and the Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  He Yongli (School of Electronic Science and Engineering and the Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Nie Sha (School of Electronic Science and Engineering and the Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Shi Yi (School of Electronic Science and Engineering and the Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Wan Qing (School of Electronic Science and Engineering and the Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 6  ページ： 897-900  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 人間の脳の新皮質に触発されて,神経形態システムは,認識,予測,および最適化のような様々な複雑なタスクを処理するのに好都合である。このような知的システムを構築するために,神経形態デバイスは高い需要がある。ここでは,パルス光刺激低電圧インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド電気二重層トランジスタに基づく光電性神経形態素子を調べた。このようなデバイスは,興奮性シナプス後電位,paired-パルス促進,およびフォトニック興奮性シナプス後電位の形での長期可塑性のような,いくつかの重要なシナプス挙動を模倣することができる。最後に,ゲート電圧変調により,増強モード遷移への抑制モードも実証した。著者らの光電神経形態デバイスはフォトニック神経形態システムにとって興味深い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  興奮性シナプス後電位 ,  最適化 ,  パルス ,  酸化物 ,  シナプス ,  *光刺激
準シソーラス用語： モード遷移 ,  ゲート電圧 ,  パルス光 ,  インテリジェントシステム ,  新皮質 ,  *電気二重層トランジスタ ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *神経 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電 ,  神経 ,  形態 ,  光刺激 ,  IGZO ,  電気二重層トランジスタ