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J-GLOBAL ID：201802291659400061   整理番号：18A1619945

UV垂直発光デバイス用の透明で導電性の(-201)配向β-Ga_2O_3基板上に成長させたGaN/AlGaN多重量子井戸【JST・京大機械翻訳】

GaN/AlGaN multiple quantum wells grown on transparent and conductive (-201)-oriented β-Ga₂O₃ substrate for UV vertical light emitting devices

著者 (14件)： Ajia I. A. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia) ,  Yamashita Y. (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Lorenz K. (INESC-MN, IPFN, Instituto Superior Tecnico, Campus Tecnologico e Nuclear, Bobadela LRS, Portugal) ,  Muhammed M. M. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia) ,  Spasevski L. (Department of Physics, SUPA, University of Strathclyde, Glasgow G4 0NG, United Kingdom) ,  Almalawi D. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia) ,  Xu J. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia) ,  Iizuka K. (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Morishima Y. (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Anjum D. H. (Imaging and Characterization Core Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia) ,  Wei N. (Imaging and Characterization Core Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia) ,  Martin R. W. (Department of Physics, SUPA, University of Strathclyde, Glasgow G4 0NG, United Kingdom) ,  Kuramata A. (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Roqan I. S. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955, Saudi Arabia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 8  ページ： 082102-082102-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlGaN多重量子井戸(MQW)を201配向β-Ga_2O_3基板上に成長させた。MQW構造の光学的および構造的特性をサファイア上に成長させた類似構造のそれらと比較した。走査透過型電子顕微鏡と原子間力顕微鏡画像は,サファイア上に成長させた類似の構造と比較して,MQW構造が明確な量子井戸のより高い結晶品質を示すことを示した。X線回折ロッキング曲線と光ルミネセンス励起分析により,β-Ga_2O_3基板上に成長させた試料における転位欠陥の密度が低いことを確認した。時間積分と時間分解光ルミネセンス測定の詳細な解析は,β-Ga_2O_3基板上に成長したMQWが,より高い光学的品質であることを示した。著者らの研究は,201配向β-Ga_2O_3基板がUV垂直発光素子の潜在的候補であることを示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *導電性 ,  *基板 ,  *多重量子井戸 ,  画像 ,  *窒化ガリウム ,  サファイア ,  品質 ,  励起 ,  *量子井戸 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  光ルミネセンス ,  結晶品質 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *発光素子 ,  鉱石 ,  宝石

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  発光デバイス ,  導電性 ,  配向 ,  成長 ,  GaN ,  AlGaN ,  多重量子井戸