MOVPEにより成長させたとスペクトル反射率をモニターして行なうin situ In_xGa_1xAs/GaAs構造の特性に及ぼすIn組成の影響【Powered by NICT】

Bedoui M.; Habchi M.M.; Moussa I.; Rebey A.

文献

J-GLOBAL ID：201802291748302874 整理番号：18A0401388

MOVPEにより成長させたとスペクトル反射率をモニターして行なうin situ In_xGa_1xAs/GaAs構造の特性に及ぼすIn組成の影響【Powered by NICT】

The influence of In composition on properties of In_xGa_1-xAs/GaAs structures grown by MOVPE and in situ monitored by spectral reflectance

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資料名：
巻： 101 ページ： 436-445 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

(試料A,B,CおよびD,13~100%の範囲のインジウム蒸気組成を持つ直列In_xGa_1xAs/GaAs構造は450°Cで有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させ,その場スペクトル反射(SR)によりモニターした。結晶品質の向上に寄与するとIn_xGa_1InGaAs/GaAs構造の成長速度論を理解するために,インジウム組成xに構造的および形態学的特性の依存性を調べた。高分解能X線回折(HRXRD)測定に基づいて,試料A,B,CおよびDの固体インジウムの組成を決定した。,インジウム組成xの関数としての構造品質(転位密度,結晶粒径,など)の変化を定量化した。に加えて,形態学的特性(ふ化と島形成,密度,サイズおよび均一性,RMS表面粗さなど)および成長過程(成長異方性など)とインジウム組成xは原子間力顕微鏡(A FM)分析を用いて調べた。,時間と波長の関数として反射率三次元プロットは400~1000nmの波長範囲の反射率の変化を定量化し,成長速度とIn_xGa_1xAs試料の厚さのようないくつかの成長パラメータを決定するために記録した。異なるキャラクタリゼーションツールから発行された実験結果との間に良好な相関が得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体薄膜

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