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J-GLOBAL ID：201802291788899030   整理番号：18A1213065

コロイド半導体ナノ構造におけるキャリア増殖機構と競合過程【JST・京大機械翻訳】

Carrier Multiplication Mechanisms and Competing Processes in Colloidal Semiconductor Nanostructures

著者 (2件)： Kershaw Stephen V. (Department of Materials Science and Engineering and Centre for Functional Photonics (CFP), City University of Hong Kong, Hong Kong S.A.R., China) ,  Rogach Andrey L. (Department of Materials Science and Engineering and Centre for Functional Photonics (CFP), City University of Hong Kong, Hong Kong S.A.R., China)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 9  ページ： 1095  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コロイド量子ドット,ナノロッドおよびナノ小板のような量子閉じ込め半導体ナノ粒子は,バンドギャップ以上のエネルギーで広い拡張吸収スペクトルを有する。これは,それらが高光子エネルギーで光を吸収し,有限励起状態寿命をもつホット励起子の形成をもたらすことを意味する。それらの存在の間に,励起子を構成するホットエレクトロンと正孔は,フォノン媒介またはAuger冷却過程またはこれらの組合せによってバンド端に緩和するように冷却し始める可能性がある。これらの冷却過程に沿って,ホット励起子がキャリア増倍(CM)と呼ばれるものにおいて二つ以上の低エネルギー励起子に分裂する可能性がある。低エネルギー多重励起子を形成するホット励起子の分裂は,冷却過程と直接競合し,多くの材料において,乗算と冷却の時間スケールはしばしば強く重なっている。CMが達成されると,次の課題は,他の競合過程,非放射Auger再結合の面において,ボーナスキャリアを使用するのに十分長い多重励起子を保存することである。しかし,Auger再結合といくつかの可能な冷却過程を操作し,ナノ粒子形状,サイズまたは組成をエンジニアリングすることにより,また表面処理の異なる選択に沿ったヘテロ構造の使用により,十分に抑制あるいは遅延させることができることが分かった。本レビューでは,半導体ナノ粒子における豊富なキャリア動力学の理解をもたらす研究のいくつかを概観し,材料研究者が,持続的な多重励起子寿命を有する効率的なCMの助けになるバランスを傾斜できるナノ構造に導くことを始めた。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ホットエレクトロン ,  励起子 ,  フォノン ,  *コロイド ,  ナノロッド ,  量子ドット ,  励起状態 ,  ナノ粒子 ,  正孔 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  Auger再結合 ,  低エネルギー ,  半導体ナノ粒子 ,  ナノプレートレット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 量子ドット ,  キャリア乗算 ,  ホットキャリア冷却プロセス ,  キャリア動力学

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

引用文献 (153件)：

• Landsberg, P.T. Recombination in Semiconductors; Cambridge University Press: Cambridge, UK, 1991.
• Capasso, F. Physics of Avalanche Photodiodes; Academic Press: London, UK, 1985; Volume 22 D.
• Pietryga, J.M.; Park, Y.-S.; Lim, J.; Fidler, A.F.; Bae, W.K.; Brovelli, S.; Klimov, V.I. Spectroscopic and device aspects of nanocrystal quantum dots. Chem. Rev. 2016, 116, 10513-10622.
• Hildebrand, O.; Kuebart, W.; Benz, K.; Pilkuhn, M. Ga1-xAlxSb avalanche photodiodes: Resonant impact ionization with very high ratio of ionization coefficients. IEEE J. Quantum Electron. 1981, 17, 284-288.
• Hollenhorst, J.N.; Webster, J.G. Avalanche diodes. In Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering; John Wiley & Sons, Inc.: Hoboken, NJ, USA, 1999.

タイトルに関連する用語 (6件)： コロイド ,  半導体ナノ構造 ,  キャリア ,  増殖 ,  競合 ,  過程