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J-GLOBAL ID：201802291803185717   整理番号：18A0887392

溶媒蒸気アニール処理した光活性層におけるバルクヘテロ接合形態のラマン解析

Raman study of bulk-heterojunction morphology in photoactive layers treated with solvent-vapor annealing

著者 (4件)： ONOJIMA Norio (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  ISHIMA Yasuhisa (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  IZUMI Daisuke (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  TAKAHASHI Kazuyuki (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3S2  ページ： 03EG01.1-03EG01.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *溶媒 ,  *焼なまし ,  *活性層 ,  *ヘテロ接合 ,  Raman分光分析 ,  蒸気 ,  *太陽電池 ,  有機半導体 ,  *有機太陽電池
準シソーラス用語： *アニール処理

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  熱処理技術  (WC03020T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶媒蒸気 ,  アニール処理 ,  活性層 ,  バルクヘテロ接合 ,  形態 ,  解析