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J-GLOBAL ID：201802292091344983   整理番号：18A1489899

シリコンコーナードットにおける谷分裂の電場調整【JST・京大機械翻訳】

Electric-field tuning of the valley splitting in silicon corner dots

著者 (8件)： Ibberson D. J. (Quantum Engineering Technology Labs, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1FD, United Kingdom) ,  Bourdet L. (University Grenoble Alpes, CEA, INAC-MEM, 38000 Grenoble, France) ,  Abadillo-Uriel J. C. (Materials Science Factory, Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain) ,  Ahmed I. (Cavendish Laboratory, University of Cambridge, J. J. Thomson Ave., Cambridge CB3 0HE, United Kingdom) ,  Barraud S. (CEA/LETI-MINATEC, CEA-Grenoble, 38000 Grenoble, France) ,  Calderon M. J. (Materials Science Factory, Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC, Cantoblanco, E-28049 Madrid, Spain) ,  Niquet Y.-M. (University Grenoble Alpes, CEA, INAC-MEM, 38000 Grenoble, France) ,  Gonzalez-Zalba M. F. (Hitachi Cambridge Laboratory, J. J. Thomson Ave., Cambridge CB3 0HE, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 5  ページ： 053104-053104-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤ電界効果トランジスタにおけるシリコンコーナードットの励起状態分光分析を行い,谷分裂の電場同調性を評価した。第一に,単一量子ドットと二重量子ドットの間のバックゲート制御遷移を示し,これにより素子をコーナードット形成に同調できるようにした。バックゲート電圧に対する谷分裂の線形依存性を,有効磁場に関して-45±3μeV/Vの勾配(または等価に-48±3μeV/(MV/m)の勾配で,880μeVから610μeVまで見出した。実験結果は,表面粗さ,ゲートスタックにおける遠隔電荷,チャネルにおける離散ドーパントの効果を含む強束縛シミュレーションにより裏付けられた。著者らの結果は,シリコン-オン-絶縁体に基づく量子ドットにおける谷分裂を電気的に調整する方法を実証し,シリコンスピン量子ビットの全電気的操作を達成する必要条件を示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電場 ,  シミュレーション ,  電荷 ,  チャネル ,  量子ドット ,  励起状態 ,  ドーパント ,  *ケイ素 ,  電圧 ,  線形性 ,  必要条件
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  有効磁場 ,  バックゲート ,  単一量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 谷 ,  電場