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J-GLOBAL ID：201802292137992427   整理番号：18A1144254

長チャネル対称二重ゲート接合FETの電荷に基づくモデリング-第2部:総電荷とトランスキャパシタ【JST・京大機械翻訳】

Charge-Based Modeling of Long-Channel Symmetric Double-Gate Junction FETs-Part II: Total Charges and Transcapacitances

著者 (4件)： Makris Nikolaos (School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece) ,  Jazaeri Farzan (School of Engineering, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Sallese Jean-Michel (School of Engineering, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Bucher Matthias (School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 7  ページ： 2751-2756  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重ゲート接合電界効果トランジスタの動的動作のためのコンパクトモデルを確立した。解析的モデル表現を,閾値以下から閾値以上まで,そして線形から飽和操作まで有効な全ノード電荷とトランスタップに対して開発した。このモデルはソースとドレインの間の対称性を保存することを示し,ゼロドレインからソースへのバイアスでの問題を回避した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデル ,  バイアス ,  *電荷 ,  *チャネル ,  *モデリング ,  *対称性 ,  線形性 ,  *接合 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： チャネル ,  対称 ,  二重ゲート ,  FET ,  電荷 ,  モデリング ,  トランス ,  キャパシタ