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J-GLOBAL ID:201802292671839181   整理番号:18A2161169

単結晶CVDダイヤモンドと8mm正方形放射エネルギー分光計の電荷キャリア輸送特性に対する基板効果【JST・京大機械翻訳】

Substrate Effects on Charge Carrier Transport Properties of Single-Crystal CVD Diamonds and an 8 mm Square Radiation Energy Spectrometer
著者 (10件):
資料名:
巻: 215  号: 22  ページ: e1800333  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ダイヤモンド放射エネルギー分光計の高感度領域を拡大する努力において,自立化学蒸着(CVD)単結晶を,素子6により作製された8mm角の「一般的グレード」CVD単結晶ダイヤモンド基板上に成長させた。高圧および高温(HP/HT)型IIa単結晶ダイヤモンド基板上に成長させたCVD単結晶ダイヤモンド中の正孔に対して3×10~4cm~2V~1のμτ積を達成した成長条件を採用した。電荷キャリアに対して99.9%,正孔と電子に対するエネルギー分解能の0.39%と0.5%の電荷収集効率(CCE)が5.486MeVα粒子を用いて達成され,エネルギー分解能の均一性が得られたが,正孔と電子に対してそれぞれ(5.0±0.4)×10~5と(1.8±0.2)×10~5cm~2V-1のμτ積が得られた。これらの値は,同じ成長条件を用いて,HP/HT型IIaダイヤモンド基板上に成長させたCVD単結晶のμτ生成物よりも約1桁小さい。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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放射線検出・検出器  ,  半導体薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 

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