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J-GLOBAL ID：201802293143278231   整理番号：18A1700738

Al₂O₃/SiO₂界面導入による高ドレイン電流ノーマリオフ2DHGダイヤモンドMOSFET

著者 (10件)： 矢部太一 (早稲田大 理工学術院) ,  大井信敬 (早稲田大 理工学術院) ,  堀川清貴 (早稲田大 理工学術院) ,  大久保智 (早稲田大 理工学術院) ,  BUENDIA Jorge. J. (早稲田大 理工学術院) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工学術院) ,  河野省三 (早稲田大 理工学術院) ,  平岩篤 (早稲田大 理工学術院) ,  川原田洋 (早稲田大 理工学術院) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-232-9  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電流 ,  *二次元電子ガス ,  *MOSFET ,  *回路特性 ,  *ダイヤモンド ,  酸化アルミニウム ,  二酸化ケイ素 ,  プラズマCVD ,  エピタクシー ,  化学蒸着 ,  電極 ,  電流電圧特性 ,  電流密度 ,  *二次元正孔ガス ,  水素終端 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *ノーマリーオフ動作 ,  MPCVD ,  エピタクシー成長 ,  ALD【蒸着】 ,  ゲート電極

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  SiO2 ,  界面 ,  ドレイン電流 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET