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J-GLOBAL ID：201802293864253885   整理番号：18A0532446

SiC MOSFETしきい値安定性の問題【Powered by NICT】

SiC MOSFET threshold-stability issues

著者 (3件)： Lelis Aivars J. (US Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA) ,  Green Ronald (US Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA) ,  Habersat Daniel B. (US Army Research Laboratory, Adelphi, MD, USA)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 78  ページ： 32-37  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFETにおける,様々な程度に,一般的に観測されるしきい値電圧不安定性効果への付加的な洞察を提供し,明確に悪いものと良好なデバイスを分離する改良試験方法の必要性を論じた。しきい値電圧安定性は,絶縁ゲート酸化膜の界面近傍領域中の活性電荷トラップによって主に影響される。ゲートバイアスの変化に応答して半導体界面への近接の近いは直接トンネリング機構の強い時間依存性をもたらした。バイアス-温度関係から,この不安定性に関与していることが付加的活性酸化物トラップを誘起することができる。この時間依存性は高温ゲートバイアス(HTGB)の影響を評価するための既存の試験方法によって,適切に説明されていない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  時間依存性 ,  *MOSFET ,  バイアス ,  半導体 ,  不安定性 ,  酸化物 ,  界面
準シソーラス用語： 直接トンネリング ,  ゲートバイアス ,  電荷捕獲 ,  ゲート酸化膜 ,  電圧安定性 ,  試験方法 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiC ,  MOSFET ,  半導体素子の信頼性 ,  しきい値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  しきい値 ,  安定性