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J-GLOBAL ID：201802293969121346   整理番号：18A0860737

Al_2O_3/HfO_2/TiNゲートスタックを持つInGaAs MOSキャパシタにおけるPBTI 界面状態発生【JST・京大機械翻訳】

PBTI in InGaAs MOS capacitors with Al₂O₃/HfO₂/TiN gate stacks: Interface-state generation

著者 (5件)： Cartier Eduard (IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Frank Martin M. (IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Ando Takashi (IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Rozen John (IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA) ,  Narayanan Vijay (IBM Research Division, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Rd, P.O. BOX 218, Yorktown Heights, NY 10598, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： 5A.4-1-5A.4-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く不動態化された界面と減少した電子トラッピングを有するデバイスを用いて,Al_2O_3/HfO_2/TiNゲートスタックを有するInGaAs MOSキャパシタにおけるPBTIストレスの間に,著しい界面状態の発生が起こることを実証した。コンデンサに関するこれらの観察は,ゲートスタックにおける電子トラッピングに加えて,III-V nFETにおいて移動度とサブ閾値劣化に及ぼす界面状態発生の影響を監視する必要があることを意味する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  移動度 ,  *コンデンサ ,  不動態化 ,  *表面準位
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  トラッピング ,  *正バイアス温度不安定性 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiN ,  ゲートスタック ,  InGaAs ,  MOSキャパシタ ,  PBTI ,  界面状態