Zhang W.K. について
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Zhang W.K. について
University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China について
Lin J.M. について
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Chen H.L. について
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Wang R. について
College of Advanced Interdisciplinary Studies, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China について
Ding R.J. について
Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Infrared Physics & Technology について
暗電流 について
波長 について
バイアス について
検出器 について
トンネル効果 について
テルル化カドミウム水銀 について
フォトダイオード について
赤外検出器 について
中波 について
再結合 について
赤外線 について
溶接 について
光起電力 について
逆バイアス について
中赤外線 について
HgCdTe について
暗電流 について
注射領域 について
逆溶接圧力 について
共通電極の配置 について
光導電素子 について
赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 について
波長 について
HgCdTe について
フォトダイオード について
注入 について
面積 について
暗電流 について
解析 について