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J-GLOBAL ID：201802294062025684   整理番号：18A1689065

中間波長HgCdTeフォトダイオードのための注入面積-暗電流特性の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis injection area-dark current characteristics for mid-wavelength HgCdTe photodiodes

著者 (7件)： Zhang W.K. (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhang W.K. (University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China) ,  Lin J.M. (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Chen H.L. (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Li H. (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang R. (College of Advanced Interdisciplinary Studies, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Ding R.J. (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 93  ページ： 70-76  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,暗電流機構と中波長赤外(MWIR)HgCdTe光起電力検出器の注入面積の間の関係を研究した。n-on-p中波長HgCdTe赤外検出器の同時モード非線形フィッティングプログラムを報告した。拡散機構の影響は徐々に弱まり,一般化-再結合機構の効果は順方向バイアス下で注入の面積が増加するにつれてより顕著になることが分かった。トラップ支援トンネリング機構の効果は,中間逆バイアス下で注入の面積が増加すると徐々に弱くなり,バンド間トンネリング機構はMWIR HgCdTeフォトダイオードの暗電流にあまり影響しなかった。注入の面積が増加すると,表面漏れ機構の影響は徐々に減少した。最後に,逆溶接圧力とMWIR HgCdTeフォトダイオードのための一般的電極の配置も,順方向バイアス下での拡散機構と一般化-再結合機構に影響を及ぼすことを見出した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *暗電流 ,  *波長 ,  バイアス ,  検出器 ,  トンネル効果 ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  *フォトダイオード ,  赤外検出器 ,  中波 ,  再結合 ,  赤外線 ,  溶接 ,  光起電力
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  中赤外線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HgCdTe ,  暗電流 ,  注射領域 ,  逆溶接圧力 ,  共通電極の配置

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 波長 ,  HgCdTe ,  フォトダイオード ,  注入 ,  面積 ,  暗電流 ,  解析