走査型広がり抵抗顕微鏡法を用いたフェムト秒レーザースクライブCu(In,Ga)Se<sub>2</sub> 太陽電池の評価

NARAZAKI Aiko; NISHINAGA Jiro; TAKADA Hideyuki; SATO Tadatake; NIINO Hiroyuki; TORIZUKA Kenji; KAMIKAWA-SHIMIZU Yukiko; ISHIZUKA Shogo; SHIBATA Hajime; NIKI Shigeru

文献

J-GLOBAL ID：201802294761128384 整理番号：18A0917679

走査型広がり抵抗顕微鏡法を用いたフェムト秒レーザースクライブCu(In,Ga)Se₂ 太陽電池の評価

Evaluation of femtosecond laser-scribed Cu(In,Ga)Se₂ solar cells using scanning spreading resistance microscopy

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資料名：
巻： 11 号： 3 ページ： 032301.1-032301.4 発行年： 2018年03月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

レーザースクライビング(LS)品質を改善するために,走査型広がり抵抗顕微鏡法(SSRM)によって,Cu(In,Ga)Se₂太陽電池に対するレーザー誘起熱の影響を評価した。透明導電性酸化物(TCO)のリフトオフを使用した2種類のLSの電気的分離を調べ,17.4%の高い変換効率と5×10³ Ω・cm²のシャント抵抗が得られた。SSRM画像は,トレンチ底部のレーザ誘起低抵抗層と上部TCO層との間にシャント経路が存在しないことを確認し,高いシャント抵抗をもたらした。超短パルスLSは,高速スクライビングによるデッドエリアの低減とスループット向上をもたらす有望なツールとなるであろう。(翻訳著者抄録)

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特殊加工 , 太陽電池

引用文献 (20件)：

R. A. Mickelsen and W. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 36, 371 (1980).
S. Niki, M. Contreras, I. Repins, M. Powalla, K. Kushiya, S. Ishizuka, and K. Matubara, Prog. Photovoltaics 18, 453 (2010).
P. Jackson, R. Wuerz, D. Hariskos, E. Lotter, W. Witte, and M. Powalla, Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 10, 583 (2016).
A. D. Compaan, I. Matulionis, and S. Nakade, Opt. Lasers Eng. 34, 15 (2000).
P.-O. Westin and M. Edoff, Proc. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conf. Exhib., 2008, p. 2558.

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走査型広がり抵抗顕微鏡法を用いたフェムト秒レーザースクライブCu(In,Ga)Se2 太陽電池の評価

走査型広がり抵抗顕微鏡法を用いたフェムト秒レーザースクライブCu(In,Ga)Se₂ 太陽電池の評価