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J-GLOBAL ID：201802294806673673   整理番号：18A1480053

ゼロバイアス光電気化学的水分解に向けて:Mg:GaN修飾Ta_3N_5光アノード上の開始電位の改善【JST・京大機械翻訳】

Towards zero bias photoelectrochemical water splitting: onset potential improvement on a Mg:GaN modified-Ta₃N₅ photoanode

著者 (6件)： Nurlaela Ela (School of Engineering, The University of Tokyo 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Sasaki Yutaka ,  Nakabayashi Mamiko ,  Shibata Naoya ,  Yamada Taro ,  Domen Kazunari
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 6  号： 31  ページ： 15265-15273  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化タンタル(Ta_3N_5)に基づく光アノードを,プラズマ増強化学蒸着(PCVD)技術を用いてマグネシウムをドープした窒化ガリウム(Mg:GaN)薄膜で被覆し,O_2発生の開始電位の負のシフトを目的として光電気化学活性試験を行った。N_2ガス中のMg:GaNのアニーリング後に,開始電位の著しい負のシフトが観察され,裸のTa_3N_5上のそれより低い光電流にもかかわらず,0V対RHEに達した。NH_3中でアニールしたMg:GaNは光電流の改善を示した。種々の試料に対する光電気化学的性能の詳細な研究と完全な特性化により,Mg活性化/Ta_3N_5損傷回復に及ぼすN_2/NH_3ポストアニーリングの影響を明らかにし,開始電位シフトと電流密度改善を制御した。N_2ポストアニーリングは,開始電位を0V対RHEにシフトさせたが,電流密度を減少させた。一方,NH_3ポストアニーリングは,開始電位をわずかにシフトさせ,電流密度を大きく増加させた。電流密度損失にもかかわらず,この開始電位シフトはTa_3N_5上での非支援光電気化学水分解の展望を明らかにした。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電流 ,  キャラクタリゼーション ,  ドーピング ,  *マグネシウム ,  *窒化ガリウム ,  電流密度 ,  *光電気化学 ,  薄膜 ,  焼なまし ,  プラズマCVD ,  *電位
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  窒化タンタル ,  *光アノード ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス ,  光電気化学 ,  水分解 ,  Mg ,  GaN ,  修飾 ,  光アノード ,  電位