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J-GLOBAL ID：201802296581225411   整理番号：18A0161852

プロセス制御と開発のための過渡サーモリフレクタンスウエハマッピング:ダイヤモンド上のGaN【Powered by NICT】

Transient thermoreflectance wafer mapping for process control and development: GaN-on-Diamond

著者 (4件)： Pomeroy James W. (Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom) ,  Simon Roland B. (Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom) ,  Middleton Callum (Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom) ,  Kuball Martin (Center for Device Thermography and Reliability, University of Bristol, Tyndall Avenue, Bristol BS8 1TL, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSICS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ウエハの最適熱性能のスクリーニングは,非侵襲性サーモリフレクタンス法に基づいて開発した。,表面近傍領域に吸収されたナノ秒パルスレーザによって誘起され,ウエハ表面の温度変化はエピ層またはエピ層と基板の間の熱境界抵抗のような重要な熱パラメータを求めることができる。ウエハが完全に処理した1回これらはデバイス(RF,電力,オプトエレクトロニクス)におけるチャネル温度に影響する。は超高電力RF応用のために開発されているGaN/ダイヤモンドウエハ上に説明した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度変動 ,  パルスレーザ ,  *窒化ガリウム ,  オプトエレクトロニクス ,  電力 ,  *ダイヤモンド ,  熱特性 ,  *プロセス制御 ,  ナノ秒
準シソーラス用語： 高電力 ,  熱パラメータ ,  エピタキシャル層 ,  サーモリフレクタンス法 ,  非侵襲 ,  半導体ウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： プロセス制御 ,  開発 ,  ダイヤモンド ,  GaN