プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-237635
公開番号（公開出願番号）：特開2018-093139
出願日： 2016年12月07日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

【課題】ポストミックス構造を有するプラズマ処理装置において、良好なエッチング形状を得ることができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する載置台と、前記載置台と対向する位置から第1のガスを供給可能な第1のガス供給部と、前記第1のガスをプラズマ化する高周波電源と、前記載置台の周囲を囲むように設けられ、プラズマ化された前記第1のガスを遮蔽する遮蔽部と、前記遮蔽部を介して前記処理容器内を排気する排気部と、前記遮蔽部と前記排気部との間の空間に第2のガスを供給可能な第2のガス供給部と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置により上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する載置台と、前記載置台と対向する位置から第1のガスを供給可能な第1のガス供給部と、前記第1のガスをプラズマ化する高周波電源と、前記載置台の周囲を囲むように設けられ、プラズマ化された前記第1のガスを遮蔽する遮蔽部と、前記遮蔽部を介して前記処理容器内を排気する排気部と、前記遮蔽部と前記排気部との間の空間に第2のガスを供給可能な第2のガス供給部と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101G , H05H1/46 M

Fターム (50件)：

2G084AA02 , 2G084AA05 , 2G084BB11 , 2G084BB27 , 2G084CC05 , 2G084CC12 , 2G084CC13 , 2G084CC14 , 2G084CC33 , 2G084DD02 , 2G084DD15 , 2G084DD21 , 2G084DD23 , 2G084DD24 , 2G084DD37 , 2G084DD38 , 2G084DD55 , 2G084DD67 , 2G084FF04 , 2G084FF11 , 2G084FF13 , 2G084FF15 , 2G084FF20 , 2G084FF32 , 2G084FF40 , 2G084HH05 , 2G084HH06 , 2G084HH09 , 2G084HH30 , 2G084HH36 , 2G084HH55 , 5F004BA09 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB23 , 5F004EA11 , 5F004EA22

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマ処理装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-016383 出願人：東京エレクトロン株式会社
原子層成長及び化学気相成長による薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-342611 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-078824 出願人：東京エレクトロン株式会社

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