特許
J-GLOBAL ID：201803000360038861

半導体装置の製造方法

発明者：
高島 信也

高島 信也 について

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上野 勝典

上野 勝典 について

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江戸 雅晴

江戸 雅晴 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-138837
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010970
出願日： 2016年07月13日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：
【課題】1300°C以上の温度でアニールする場合、キャップ層を設けたとしてもGaN層からの窒素抜けを十分に抑制できない。これにより、GaN層の表面に荒れが生じていた。【解決手段】窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、窒化物半導体層に対するn型またはp型不純物を窒化物半導体層の予め定められた領域に注入する段階と、少なくとも予め定められた領域上に直接接する窒化物の第1の保護膜を原子層堆積法により形成する段階と、窒化物半導体層と第1の保護膜とを1300°C以上の温度でアニールする段階とを備える半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、 前記窒化物半導体層に対するn型またはp型不純物を前記窒化物半導体層の予め定められた領域に注入する段階と、 少なくとも前記予め定められた領域上に直接接する窒化物の第1の保護膜を原子層堆積法により形成する段階と、 前記窒化物半導体層と前記第1の保護膜とを1300°C以上の温度でアニールする段階と を備える 半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/265 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/56 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/34
FI (9件)：
H01L21/265 602A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652C ,  C23C16/56 ,  C23C16/42 ,  C23C16/34
Fターム (15件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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