半導体装置の製造方法および半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-175957
公開番号（公開出願番号）：特開2015-046441
出願日： 2013年08月27日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

【課題】窒化物系半導体層からの窒素抜けを防止しつつ高温で、安定してかつ効果的に熱処理を行うこと。【解決手段】n-GaN基板11上にn-AlxGa1-xN層12を形成した後、n-AlxGa1-xN層12に不純物をドープする。MOCVD法により、n-AlxGa1-xN層12の表面に、エピタキシャル膜のAlyGa1-yNからなる第1キャップ層2aおよびAlzGa1-zNからなる第2キャップ層2bを順次形成して、被処理基板2を形成する。その後、被処理基板2に対して高温で活性化アニールを行うことにより、n-AlxGa1-xN層12からの窒素抜けを抑制しつつ、ドープした不純物を活性化させる。活性化アニール後、第2キャップ層2bを塩素系ドライエッチング法により除去し、第1キャップ層2aをKOH水溶液によるウェットエッチング法により除去する。【選択図】図2B

請求項（抜粋）：

窒化物系半導体層を有する半導体装置の製造方法において、基体上にAlxGa1-xNからなる第1窒化物系半導体層を形成する第1形成工程と、前記第1窒化物系半導体層に不純物を導入する不純物導入工程と、前記第1窒化物系半導体層上にAlyGa1-yNからなる第2窒化物系半導体層を形成する第2形成工程と、前記第2窒化物系半導体層上にAlzGa1-zNからなる第3窒化物系半導体層を形成する第3形成工程と、前記第3形成工程後に、前記第1窒化物系半導体層、前記第2窒化物系半導体層、および前記第3窒化物系半導体層に対して、熱処理を行う熱処理工程と、を含み、前記第2窒化物系半導体層のAl組成比yが、前記第1窒化物系半導体層のAl組成比xより大きく、かつ、前記第3窒化物系半導体層のAl組成比zよりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12

FI (4件)：

H01L29/78 658A , H01L29/78 652T , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G

引用特許：

審査官引用 (4件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-241703 出願人：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-144323 出願人：富士通株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-000704 出願人：株式会社東芝

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