特許
J-GLOBAL ID：201803000825667208

基板、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置

発明者：
大村 昌伸

大村 昌伸 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  大塚 康弘 ,  高柳 司郎 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-030009
公開番号（公開出願番号）：特開2018-125540
出願日： 2018年02月22日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：
【課題】アンチヒューズ素子を含む記録ヘッド用基板であって、製造工程において有利なものを提供する。【解決手段】記録ヘッド用基板は、記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込むための第2のDMOSトランジスタと、少なくとも1つのMOSトランジスタによって構成され、前記第2のDMOSトランジスタを駆動する駆動部と、を備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
液体を加熱するための電気熱変換素子と、 前記電気熱変換素子を駆動するための第1のトランジスタと、 アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、 電源ノードと接地ノードとの間の電気経路において前記アンチヒューズ素子に対して直列に接続された第2のトランジスタと、 前記第2のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え、 前記駆動部は、第1導電型の第1MOSトランジスタおよび前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2MOSトランジスタを含み且つ前記第2のトランジスタのゲートに接続されるインバータを有し、 前記第1のトランジスタの耐圧および前記第2のトランジスタの耐圧は、前記第1MOSトランジスタの耐圧および前記第2MOSトランジスタの耐圧より高く、 前記第2のトランジスタは、前記第2のトランジスタのソースおよびドレインの間の領域であって、前記ソースおよび前記ドレインのうち、前記第2のトランジスタのゲートとの電位差が大きい一方の側に、素子分離部を有し、 前記第2のトランジスタの前記ゲートは、前記ソースおよび前記ドレインとの間で前記素子分離部の上に延在する部分を有する ことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。
IPC (4件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/82 ,  B41J 2/14
FI (4件)：
H01L27/088 A ,  H01L21/82 F ,  B41J2/14 201 ,  B41J2/14 611
Fターム (31件)：
2C057AF93 ,  2C057AG83 ,  2C057AN01 ,  2C057BA04 ,  2C057BA13 ,  5F048AA05 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BE03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048BH01 ,  5F064BB03 ,  5F064BB07 ,  5F064BB12 ,  5F064CC12 ,  5F064CC22 ,  5F064FF16 ,  5F064FF28 ,  5F064FF45
引用特許：
出願人引用 (8件)
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