特許
J-GLOBAL ID：201803000847067832
超伝導デバイスおよび超伝導デバイスを製造する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 正博
, 立原 聡
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-511654
公開番号（公開出願番号）：特表2018-530913
出願日： 2016年08月26日
公開日（公表日）： 2018年10月18日
要約：
常伝導体セグメントにより割り込まれた超伝導ループと、常伝導体セグメントに接続された干渉計とを備える量子干渉デバイスであって、超伝導ループが、複数のターンを含む。ターンは、複数の隣接したローブであり得る。コイルは、超伝導ループのローブ内に位置し得る。任意選択的に、(例えば金の)ブリッジ層は、基材の上方に形成されて、ブリッジ層の上方に形成された(例えばニオブの)超伝導層とブリッジ層の上方に形成された(例えばチタンの)常伝導層との間における電気的接触をもたらす。ブリッジ層は、別のやり方であれば互換性のない超伝導および常伝導材料によりデバイスが形成されることを可能にする。チタン常伝導層は、長年にわたって酸化することを可能にされ得る。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
常伝導体セグメントにより割り込まれた超伝導ループと、前記常伝導体セグメントに接続された干渉計とを備える量子干渉デバイスであって、前記超伝導ループが、複数のターンを含む、量子干渉デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
4M113AC06
, 4M113AC45
, 4M113AC46
, 4M113CA13
, 4M113CA14
