特許
J-GLOBAL ID：201803000896208875
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-272729
公開番号（公開出願番号）：特開2015-128218
特許番号：特許第6255997号
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2015年07月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ソースが基準電位ノードに接続される第1の電界効果トランジスタと、
ソースが前記第1の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第1の電界効果トランジスタのソースに接続される第2の電界効果トランジスタと、
ゲート信号を入力するゲート信号ノードと、
前記ゲート信号ノード及び前記第1の電界効果トランジスタのゲート間に接続される第1の抵抗と、
前記第2の電界効果トランジスタのドレイン及び前記第1の電界効果トランジスタのゲート間に接続される第1の容量及びスイッチ回路とを有し、
前記スイッチ回路は、前記第1の容量に対して直列に接続され、
前記スイッチ回路は、
ドレインが前記第1の容量に接続され、ゲートが前記基準電位ノードに接続され、ソースが前記ゲート信号ノードに接続される第3の電界効果トランジスタと、
前記第3の電界効果トランジスタのソース及び前記第1の電界効果トランジスタのゲート間に接続される第2の容量とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H03K 17/042 ( 200 6.01)
, H03K 17/16 ( 200 6.01)
H03K 17/042
, H03K 17/16 H
