アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 大倉昭人 , 荒木淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-059460
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199547
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：

【課題】アクティブ発振防止付き複合半導体デバイスを提供する。【解決手段】本明細書は、アクティブ発振制御付き複合半導体デバイスの種々の実現を開示する。1つの好適な実現では、ノーマリオフ複合半導体デバイスが、ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタ、及びこのノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタとカスコード接続された低電圧(LV)デバイスを具えて、ノーマリオフ複合半導体デバイスを形成する。このLVデバイスは、例えば修正したボディ打込み領域により低減した出力抵抗、及び例えば修正した酸化物の厚さにより低減したトランスコンダクタンスの一方または両方を含むように構成されて、複合半導体デバイスのゲインを約10,000以下にすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アクティブ発振制御を含むノーマリオフ複合半導体デバイスであって、ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタと; 前記ノーマリオンIII-窒化物パワートランジスタとカスコード接続されて、前記ノーマリオフ複合半導体デバイスを形成する低電圧(LV)デバイスとを具え、前記LVデバイスは、前記ノーマリオフ複合半導体デバイスのゲインを約10,000以下にするように低減された出力抵抗を有することを特徴とするノーマリオフ複合半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 27/095 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 27/088 , H01L 21/823

FI (3件)：

H01L29/80 E , H01L29/80 H , H01L27/08 102A

Fターム (24件)：

5F048AB04 , 5F048AC09 , 5F048BA01 , 5F048BA15 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BE03 , 5F048DA27 , 5F102FA01 , 5F102GA02 , 5F102GA05 , 5F102GA14 , 5F102GA15 , 5F102GA16 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GT01

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-173668 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
高周波線形増幅器アセンブリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-151203 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平3-196572

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