薄膜構造体、磁気記憶素子、磁気記憶装置及び薄膜構造体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-146726
公開番号（公開出願番号）：特開2018-018904
出願日： 2016年07月26日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
要約：

【課題】電圧誘起磁化反転現象の発生安定性を飛躍的に向上させる薄膜構造体を提供する。【解決手段】基板(10)上に、下部電極層(20)、電圧印加により磁場が生じる電気磁気効果を有する反強磁性層(31)、及び反強磁性層(31)の反強磁性スピンと界面結合された強磁性スピンを有する強磁性層(35)が、この順で、積層された薄膜構造体(30)である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、下部電極層、電圧印加により磁場が生じる電気磁気効果を有する反強磁性層、及び当該反強磁性層の反強磁性スピンと界面結合された強磁性スピンを有する強磁性層が、この順で、積層された薄膜構造体であって、上記下部電極層は、fcc(111)またはhcp(0001)配向するものであり、且つ、上記反強磁性層への拡散が抑制される金属層であり、上記反強磁性層は、Cr2O3層であり、上記強磁性層は、Co層を含む、積層された層であることを特徴とする薄膜構造体。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , G11C 11/15 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , G11C11/15 112 , G11B5/39

Fターム (34件)：

4M119AA01 , 4M119AA07 , 4M119AA11 , 4M119BB20 , 4M119CC03 , 4M119CC09 , 4M119CC10 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD23 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 4M119JJ03 , 5D034BA05 , 5D034BA06 , 5D034BA08 , 5D034BA30 , 5D034DA07 , 5F092AA04 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC21 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD24 , 5F092BD03 , 5F092BD06 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BD19 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092CA02

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