特許
J-GLOBAL ID：201803000991768144
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 川原 敬祐
, 福井 敏夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249358
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099456
特許番号：特許第6278592号
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェーハ上に第1エピタキシャル層を形成する工程と、
該第1エピタキシャル層上に第2エピタキシャル層を形成する工程と、
を有する半導体エピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記半導体ウェーハ表面または前記第1エピタキシャル層表面に、炭素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハ表面または第1エピタキシャル層表面に、炭素が固溶した改質層を形成する工程をさらに有し、
前記第1エピタキシャル層中のドーパント元素のピーク濃度は、前記第2エピタキシャル層中のドーパント元素のピーク濃度よりも高いことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, C23C 14/48 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
H01L 21/322 J
, H01L 21/322 R
, C23C 14/48 A
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/265 Z
