特許
J-GLOBAL ID：201803001256077185

表示装置及び電子機器

発明者：
宮川 恵介

宮川 恵介 について

, 
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-103520
公開番号（公開出願番号）：特開2018-146976
出願日： 2018年05月30日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：
【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧を高くする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体層と、 前記半導体層上方の第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁膜上方の第1の導電層と、 前記第1の絶縁層上方の第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層上方の第2の導電層と、 前記第2の絶縁層上方及び前記第2の導電層上方の第1の電極と、 前記第1の電極上方の電界発光層と、 前記電界発光層上方の第2の電極と、 前記第2の電極上方の第3の絶縁層と、を有し、 前記半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、 前記第1の絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、 前記第1の導電層は、前記トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、 前記第3の絶縁層は、窒素及び珪素を有することを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  H01L 27/32
FI (5件)：
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  H01L27/32
Fターム (28件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB06 ,  3K107BB08 ,  3K107CC23 ,  3K107CC33 ,  3K107DD23 ,  3K107DD27 ,  3K107EE03 ,  3K107EE48 ,  3K107EE61 ,  3K107HH02 ,  3K107HH05 ,  5C094AA03 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA05 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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