特許

J-GLOBAL ID：201803001275471811

デバイス及びデバイスの製造方法並びにアレイ型の超音波プローブの製造方法

発明者： 鈴木 大地 ,  不破 耕 ,  前平 謙 ,  大橋 靖知 ,  藤田 勝博 ,  芳賀 洋一 ,  松永 忠雄
出願人/特許権者： 株式会社アルバック ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人青莪
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017029364
公開番号（公開出願番号）：WO2018-047585
出願日： 2017年08月15日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
要約：

圧電素子の複数が一定の間隔でアレイ状に配列されたものを製品歩留まり良く製作するための構造を持つデバイスとしてのアレイ型の超音波プローブを提供する。 本発明の超音波プローブ(AP)は、アレイ状に開設された複数の第1開口(22a)を有し、各第1開口の周縁部で密着して圧電素子(21)を部分的に露出させた状態で夫々支持する第1ドライフィルムレジスト(22)と、第1ドライフィルムレジストに積層されると共に各機能素子を夫々囲繞する第2開口(23a)を有する、圧電素子と同等の厚さの第2ドライフィルムレジスト(23)と、第2ドライフィルムレジストに積層されると共に第3開口(24a)を有し、当該第3開口の周縁部で密着して圧電素子を部分的に露出させた状態で、第1ドライフィルムレジストとの間で各圧電素子を夫々挟持する第3ドライフィルムレジスト(24)とを備える構造を持つ。

請求項（抜粋）：

所定の厚さの機能素子の複数を備えるデバイスであって、 アレイ状に開設された複数の第1開口を有し、各第1開口の周縁部で密着して機能素子を部分的に露出させた状態で夫々支持する第1ドライフィルムレジストと、 第1ドライフィルムレジストに積層されると共に各機能素子を夫々囲繞する第2開口を有する、機能素子と同等の厚さの第2ドライフィルムレジストと、 第2ドライフィルムレジストに積層されると共に第3開口を有し、当該第3開口の周縁部で密着して機能素子を部分的に露出させた状態で、第1ドライフィルムレジストとの間で各機能素子を夫々挟持する第3ドライフィルムレジストとを備える構造を持つことを特徴とするデバイス。

IPC (3件)：

A61B 8/14 ,  H04R 17/00 ,  H04R 31/00

FI (3件)：

A61B8/14 ,  H04R17/00 330J ,  H04R31/00 330

Fターム (8件)：

4C601EE14 ,  4C601GB41 ,  5D019AA26 ,  5D019BB02 ,  5D019BB03 ,  5D019BB25 ,  5D019FF04 ,  5D019HH00