特許

J-GLOBAL ID：201803001541059433

鉄酸化物薄膜およびその製造方法

発明者： 阿部 世嗣 ,  渡邉 雅人
出願人/特許権者： 公益財団法人電磁材料研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-254398
公開番号（公開出願番号）：特開2018-104784
出願日： 2016年12月27日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
要約：

【課題】質のさらなる向上が図られた鉄酸化物薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】ヘマタイト(α-Fe2O3)からなるターゲット1の表面に、Cuチップ2が配置されている複合ターゲットが用いられる。Ar等の不活性雰囲気において、この複合ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板3の上に鉄酸化物薄膜4が成膜される。鉄酸化物薄膜4は、一般式Fe1-x-yCuxOyで表されるようにCuが添加され、かつ、実質的にマグへマイト(γ-Fe2O3)結晶相からなる。0.03≦x≦0.125、0.58≦y≦0.61、かつ、0.295≦1-(x+y)≦0.36である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一般式Fe1-x-yCuxOy(ただし、0.03≦x≦0.125、0.58≦y≦0.61、かつ、0.295≦1-(x+y)≦0.36である。)で表されるようにCuが添加され、かつ、マグへマイト(γ-Fe2O3)結晶相からなることを特徴とする鉄酸化物薄膜。

IPC (9件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C01G 49/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 31/025 ,  H01L 31/18

FI (9件)：

C23C14/08 M ,  C23C14/34 A ,  C01G49/00 A ,  H01L21/316 Y ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L31/04 320 ,  H01L31/04 420

Fターム (24件)：

4G002AA06 ,  4G002AB01 ,  4G002AE02 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC06 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC15 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F151AA20 ,  5F151CB15 ,  5F151GA03 ,  5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-054309
  
• 鉄酸化物薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-025533   出願人：公益財団法人電磁材料研究所
• 磁気記録媒体及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-297648   出願人：戸田工業株式会社