特許
J-GLOBAL ID:201803002002002505
導電性バリアのダイレクトハイブリッドボンディング
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
田中 伸一郎
, 弟子丸 健
, ▲吉▼田 和彦
, 松下 満
, 倉澤 伊知郎
, 山本 泰史
, 丹澤 一成
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-529502
公開番号(公開出願番号):特表2018-528622
出願日: 2016年08月25日
公開日(公表日): 2018年09月27日
要約:
ダイレクトハイブリッドボンドの形成方法、及び、ダイレクトハイブリッドボンドにより得られるデバイスであって、第1の基板であって、好ましくはデバイス又は回路に接続され、導電性バリアによりキャップされた、金属ボンディングバッドの第1のセットを有し、第1の基板上の金属ボンディングパッドに隣接する第1の非金属領域を有する、第1の基板と、第2の基板であって、金属ボンディングパッドの第1のセットとアラインされ、好ましくはデバイス又は回路に接続された、第2の導電性バリアによりキャップされた金属ボンディングパッドの第2のセットを有し、第2の基板上の金属ボンディングパッドに隣接する第2の非金属領域を有する、第2の基板と、第1の非金属領域の、第2の非金属領域への接触ボンディングにより形成された、導電性バリアによりキャップされた金属ボンディングパッドの第1のセット及び第2のセットの間の接触ボンディング界面と、を含む。
請求項(抜粋):
ダイレクトハイブリッドボンド表面の形成方法であって、
第1の基板の上側表面に、第1の複数の金属接触構造体を形成することであって、前記構造体の上面は、前記上側表面の下方にある、ことと、
前記上側表面と前記複数の金属接触構造体を覆う、導電性バリア材料の第1の層を形成することと、
前記導電性バリア材料の第1の層を前記上側表面から取り除くことと、を含む、方法。
IPC (3件):
H01L 23/12
, B23K 20/00
, H01L 21/60
FI (3件):
H01L23/12 501P
, B23K20/00 310L
, H01L21/60 311Q
Fターム (7件):
4E167BA05
, 4E167CA03
, 4E167DA05
, 5F044KK05
, 5F044KK17
, 5F044KK19
, 5F044LL15
引用特許:
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