特許
J-GLOBAL ID：201803002012900153
磁気記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-154039
公開番号（公開出願番号）：特開2018-022805
出願日： 2016年08月04日
公開日（公表日）： 2018年02月08日
要約：
【課題】記憶密度を向上できる磁気記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、金属含有層、第1〜第4磁性層、第1、第2中間層及び制御部を含む。金属含有層は第1〜第5部分を含む。第1磁性層は、第1部分から第2部分に向かう第2方向と交差する第1方向において第3部分から離れる。第2磁性層は、第3部分の一部と第1磁性層との間に設けられる。第1中間層は第1、第2磁性層の間に設けられる。第3磁性層は第1方向において第4部分から離れる。第4磁性層は第4部分の一部と第3磁性層との間に設けられる。第2中間層は第3、第4磁性層の間に設けられる。制御部は第1、第2部分と接続される。第3部分の、第1方向及び第2方向と交差する第3方向の長さは、第2磁性層の第3方向の長さよりも長い。第3部分の長さは、第5部分の第3方向の長さよりも長い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1部分と、第2部分と、前記第1部分と前記第2部分との間の第3部分と、前記第3部分と前記第2部分との間の第4部分と、前記第3部分と前記第4部分との間の第5部分と、を含む金属含有層と、
前記第1部分から前記第2部分に向かう第2方向と交差する第1方向において前記第3部分から離れた第1磁性層と、
前記第3部分の一部と前記第1磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた部分を含む非磁性の第1中間層と、
前記第1方向において前記第4部分から離れた第3磁性層と、
前記第4部分の一部と前記第3磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に設けられた部分を含む非磁性の第2中間層と、
前記第1部分及び第2部分と電気的に接続された制御部と、
を備え、
前記第3部分の、前記第1方向及び前記第2方向と交差する第3方向に沿う長さは、前記第2磁性層の前記第3方向に沿う長さよりも長く、
前記第3部分の前記長さは、前記第5部分の前記第3方向に沿う長さよりも長く、
前記制御部は、
前記第1部分から前記第2部分に向かう第1書き込み電流を前記金属含有層に供給する第1書き込み動作と、
前記第2部分から前記第1部分に向かう第2書き込み電流を前記金属含有層に供給する第2書き込み動作と、
を実施し、
前記第1書き込み動作後における前記第1磁性層と前記第1部分との間の第1電気抵抗は、前記第2書き込み動作後における前記第1磁性層と前記第1部分との間の第2電気抵抗とは異なる、磁気記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/82
, H01L 43/08
, H01L 43/12
H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
4M119AA11
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD06
, 4M119DD42
, 4M119EE40
, 5F092AA12
, 5F092AB07
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD25
, 5F092BB05
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB55
, 5F092BC03
, 5F092BC13
, 5F092CA08
