特許
J-GLOBAL ID：201403090221250804

スイッチングに基づいたスピン軌道相互作用を使用する磁気トンネルリング接合と、磁気トンネルリング接合を利用するメモリを提供するための方法及びシステム

発明者：
アレクシー・バシリエビッチ・クヴァルコフスキー

アレクシー・バシリエビッチ・クヴァルコフスキー について

, 
ドミトロ・アパルコフ

ドミトロ・アパルコフ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-174693
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045196
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】磁気メモリが提供される。【解決手段】本発明による磁気メモリは、磁気接合及び少なくとも1つのスピン軌道相互作用(SO)活性膜を含む。前記磁気接合の各々は磁性のデータ格納膜を含む。前記SO活性膜は前記磁気接合の前記データ格納膜に隣接する。前記SO活性膜は前記少なくとも1つのSO活性膜と前記少なくとも1つのSO活性膜に最も近い前記複数個の磁気接合の中の1つの磁気接合の前記データ格納膜との間の方向に垂直である方向に前記少なくとも1つのSO活性膜を通じて流れる電流によって前記データ格納膜にSOトルクを加えるように構成される。前記データ格納膜は少なくとも前記SOトルクを使用してスイッチ可能するように構成される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
各々がデータ格納膜を含み、前記データ格納膜は磁性である、複数個の磁気接合と、 前記磁気接合の前記データ格納膜に隣接する少なくとも1つのスピン軌道相互作用(SO)活性膜と、を含み、 前記少なくとも1つのSO活性膜は、前記少なくとも1つのSO活性膜と前記少なくとも1つのSO活性膜に最も近い前記複数個の磁気接合の中の1つの磁気接合の前記データ格納膜との間の方向に垂直である方向に前記少なくとも1つのSO活性膜を通じて流れる電流によって前記データ格納膜にSOトルクを印加するように構成され、 前記データ格納膜は少なくとも前記SOトルクを使用してスイッチ可能するように構成される磁気メモリ。
IPC (5件)：
H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15
FI (5件)：
H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 110
Fターム (29件)：
4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC06 ,  4M119CC10 ,  4M119DD04 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD48 ,  4M119EE27 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC26 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BD03 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BE25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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