特許
J-GLOBAL ID：201803002252060020

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-093773
公開番号（公開出願番号）：特開2018-157218
出願日： 2018年05月15日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第2の絶縁膜中に酸素原子を供給し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
酸化物を有する第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上方に、酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜上方に、化学量論比よりも多くの酸素を有する第2の絶縁膜を形成し、 前記第2の絶縁膜上方に、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するようにゲート電極を形成し、 前記第2の絶縁膜を形成する前に、第1の雰囲気中において250°C以上650°C以下で第1の熱処理を行い、 前記第2の絶縁膜を形成した後に、第2の雰囲気中において250°C以上700°C以下で第2の熱処理を行い、 前記第1の雰囲気は、窒素または希ガスのいずれかを含む雰囲気であり、 前記第1の雰囲気は、水または水素を含む不純物濃度が1ppm以下の雰囲気であり、 前記第2の雰囲気は、窒素、酸素、乾燥空気、または希ガスのいずれか一を含む雰囲気であり、 前記第2の雰囲気は、水または水素を含む不純物濃度が1ppm以下である雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H01L 27/32
FI (6件)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H01L27/32
Fターム (84件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB02 ,  2H192CB37 ,  2H192CB83 ,  2H192CC32 ,  2H192CC72 ,  2H192EA74 ,  2H192EA76 ,  2H192FB03 ,  2H192FB22 ,  2H192FB27 ,  2H192FB33 ,  2H192FB46 ,  2H192HA13 ,  2H192HA44 ,  2H192HA47 ,  2H192HA84 ,  2H192HA90 ,  2H192JA06 ,  2H192JA13 ,  2H192JA17 ,  2H192JA24 ,  2H192JA25 ,  2H192JA32 ,  2H192JA53 ,  2H192JA64 ,  3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB06 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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