特許
J-GLOBAL ID:201803002383714840

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-028478
公開番号(公開出願番号):特開2014-157950
特許番号:特許第6239830号
出願日: 2013年02月16日
公開日(公表日): 2014年08月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板の光入射側の主面上に複数の量子ドットを含む量子ドット層が多層に配置されている太陽電池であって、前記光入射側の前記量子ドット層は前記半導体基板側の前記量子ドット層よりも前記量子ドットの占有面積比が小さく、前記量子ドット層の厚みは前記半導体基板側より前記光入射側の方が薄いことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/0352 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 31/04 342 A
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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