特許
J-GLOBAL ID：201403099988849326
受光素子および受光素子を備えた太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025537
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154816
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】キャリアの取り出し効率に優れたデバイスを提供可能な受光素子の提供。【解決手段】受光素子は、p型半導体層と、n型半導体層と、p型半導体層とn型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを備える。超格子半導体層は、障壁層と量子ドットを含む量子ドット層とが交互に繰り返し積層されて構成された2つ以上の超格子構造を有する。2つ以上の超格子構造は、量子ドットの形状、量子ドットの材料、障壁層の厚さ、および、障壁層の材料のうちの少なくとも1つを互いに異にする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを備え、
前記超格子半導体層は、障壁層と量子ドットを含む量子ドット層とが交互に繰り返し積層されて構成された2つ以上の超格子構造を有し、
前記2つ以上の超格子構造は、前記量子ドットの形状、前記量子ドットの材料、前記障壁層の厚さ、および、前記障壁層の材料のうちの少なくとも1つを互いに異にする受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/04 E
, H01L31/10 A
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049PA18
, 5F049QA16
, 5F049QA18
, 5F049SE05
, 5F049SS04
, 5F049WA01
, 5F151AA08
, 5F151AA16
, 5F151CB12
, 5F151CB29
, 5F151DA04
, 5F151DA07
, 5F151DA13
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA04
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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