特許

J-GLOBAL ID：201803002633834650

炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体基板の製造方法

発明者： 今井 文一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-155091
公開番号（公開出願番号）：特開2018-022853
出願日： 2016年08月05日
公開日（公表日）： 2018年02月08日
要約：

【課題】不純物濃度が1×1014/cm3〜1×1015/cm3の低濃度エピ成膜を有する炭化珪素半導体基板を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基板はエピタキシャル層を備え、エピタキシャル層のドナーの濃度とアクセプターの濃度との差が、1×1014/cm3〜1×1015/cm3の範囲内にある。さらに、エピタキシャル層のドナーの濃度とアクセプターの濃度が、エピタキシャル成長装置内の不純物による影響を受けない濃度以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドナーの濃度とアクセプターの濃度が、エピタキシャル成長装置内の不純物による影響を受けない濃度以上であり、前記ドナーの濃度と前記アクセプターの濃度との差が、1×1014/cm3〜1×1015/cm3の範囲内にあるエピタキシャル層を、 備えることを特徴とする炭化珪素半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/52

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  C23C16/52

Fターム (40件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA14 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045CA05 ,  5F045DA59 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045EB15 ,  5F045EM10 ,  5F045GB04 ,  5F045GB11 ,  5F045GB15 ,  5F045GB16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SiCエピタキシャルウェハおよび半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-059833   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-125683   出願人：株式会社デンソー