特許
J-GLOBAL ID：201803002787553700

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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小沼 利光

小沼 利光 について

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小山 潤

小山 潤 について

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犬飼 和隆

犬飼 和隆 について

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水上 真由美

水上 真由美 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-003087
公開番号（公開出願番号）：特開2018-063452
出願日： 2018年01月12日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
要約：
【課題】信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。【解決手段】単結晶半導体基板11上にスイッチング用FET201及び電流制御用FET202を形成し、電流制御用FET202にEL素子203が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用FET202は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用FET202にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、接着剤と、カバー材と、を有し、 前記基板上に、画素部と、駆動回路部と、を有し、 前記カバー材は、 前記接着剤を介して前記画素部と重なる領域と、 前記接着剤を介して前記駆動回路部と重なる領域と、 を有し、 前記画素部は、発光素子と、第1のトランジスタと、を有し、 前記駆動回路部は、第2のトランジスタを有し、 前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域上に第1のゲート電極を有し、 前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域上に第2のゲート電極を有し、 前記第1のゲート電極上及び前記第2のゲート電極上に、第1の絶縁層を有し、 前記第1の絶縁層上に、第1の導電層を有し、 前記第1の導電層上に、第2の絶縁層を有し、 前記第2の絶縁層上に、前記発光素子を有し、 前記発光素子上に、窒化珪素膜を有し、 前記発光素子は、第1の電極と、前記第1の電極上の発光層と、前記発光層上の第2の電極と、を有し、 前記第1の絶縁層は、第1のコンタクトホールを有し、 前記第1の導電層は、前記第1のコンタクトホールを介して前記第1のトランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続され、 前記第2の絶縁層は、第2のコンタクトホールを有し、 前記第1の電極は、前記第2のコンタクトホールを介して前記第1の導電層と電気的に接続される表示装置であって、 前記画素部及び前記駆動回路部の周囲に、前記第2の絶縁層が設けられていない第1の領域を有し、 前記第1の領域において、前記基板及び前記カバー材は、前記接着剤を介して互いに重なることを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04
FI (6件)：
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 309 ,  G09F9/30 365 ,  H01L27/32 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04
Fターム (31件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC07 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107EE42 ,  3K107EE46 ,  3K107EE48 ,  3K107EE55 ,  3K107HH05 ,  5C094AA08 ,  5C094AA31 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA52 ,  5C094CA19 ,  5C094DA07 ,  5C094DA12 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094HA05 ,  5C094HA06 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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