特許

J-GLOBAL ID：201803003233279255

高分子錯体及びその製造方法

発明者： 長谷川 靖哉 ,  中島 綾子 ,  中西 貴之 ,  北川 裕一 ,  伏見 公志
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016055906
公開番号（公開出願番号）：WO2016-143561
出願日： 2016年02月26日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

本発明は、希土類元素イオンによる3次元ネットワーク構造有する錯体を提供できる新たな有機配位子の提供、及びこの有機配位子を用いた新しい機能を有する希土類元素イオンを含有する新たな高分子錯体を提供する。上記高分子錯体の製造方法及び用途を提供する。本発明は、一般式(10)で示される繰り返し単位を有する高分子錯体に関する。Ar11、Ar12及びAr13は、アリール基、ヘテロアリール基、又はアラルキル基を示す。M1は、希土類元素イオンである。LGは、M1で示される希土類元素イオンに配位する多座配位子である。Ar11及びAr13の一方又は両方は、少なくとも1個のカルボキシル基を有することができ、一般式(11)及び(12)で示される構造を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(10)で示される繰り返し単位を有する高分子錯体。

IPC (1件)：

C07F 19/00

FI (1件)：

C07F19/00

Fターム (11件)：

4H048VA70 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB92 ,  4H050BB14 ,  4H050BC10 ,  4H050BC19 ,  4H050WA14 ,  4H050WB13 ,  4H050WB22 ,  4H050WB23