半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-073276
公開番号（公開出願番号）：特開2018-137464
出願日： 2018年04月05日
公開日（公表日）： 2018年08月30日
要約：

【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体以外の半導体材料が用いられた第1のチャネル形成領域を有する第1のトランジスタと、第1のトランジスタの上方の、酸化物半導体材料が用いられた第2のチャネル形成領域を有する第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、第2のトランジスタの第2のソース電極または第2のドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とは、電気的に接続された半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体以外の半導体材料が用いられた第1のチャネル形成領域と、前記第1のチャネル形成領域上の第1のゲート絶縁層と、前記第1のゲート絶縁層上の第1のゲート電極と、前記第1のチャネル形成領域と電気的に接続された、第1のソース電極および第1のドレイン電極と、を有する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの上方の、第2のソース電極および第2のドレイン電極と、前記第2のソース電極および第2のドレイン電極と電気的に接続され、酸化物半導体材料が用いられた第2のチャネル形成領域と、前記第2のチャネル形成領域上の第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層上の第2のゲート電極と、を有する第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、前記第2のトランジスタの前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続された半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088

FI (10件)：

H01L27/1156 , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L29/78 613Z , H01L27/108 671Z , H01L29/78 371 , H01L27/06 102A , H01L27/088 331E , H01L27/088 E , H01L27/108 321

Fターム (189件)：

5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD02 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG13 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048DA24 , 5F048DA30 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083EP02 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083NA01 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F101BA01 , 5F101BB12 , 5F101BD20 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF03 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110AA30 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL09 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM01 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110QQ04 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-311892 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-245254 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-221776 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-311892 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-245254 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-221776 出願人：ソニー株式会社

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