特許
J-GLOBAL ID：201803004035845080
両面セルを製造する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-521088
公開番号（公開出願番号）：特表2018-531521
出願日： 2016年10月25日
公開日（公表日）： 2018年10月25日
要約：
両面光起電力セルを製造する方法について示した。当該方法は、a)半導体基板の第1の表面に、n-ドーパント含有層を形成するステップと、b)ホウ素のスパッタリング、および/またはホウ素のイオン注入により、前記半導体基板の第2の表面に、ホウ素含有層を形成するステップと、c)前記半導体基板への前記n-ドーパントおよび前記ホウ素の拡散を実施するステップであって、これにより、前記第1の表面が前記n-ドーパントでドープされ、前記第2の表面が前記ホウ素でドープされる、ステップと、を有する。さらに、半導体基板、その第1の表面のn+層、その第2の表面のホウ素含有p+層、を有する両面光起電力セル、ならびに該光起電力セルを有する、光起電力モジュール、電力プラント、および電気装置について示した。p+層内のホウ素濃度のばらつきは、5%未満である。
請求項（抜粋）：
両面光起電力セルを製造する方法であって、
a)半導体基板の第1の表面に、n-ドーパント含有層を形成するステップと、
b)ホウ素のスパッタリング、および/またはホウ素のイオン注入により、前記半導体基板の第2の表面に、ホウ素含有層を形成するステップと、
c)前記半導体基板への前記n-ドーパントの拡散および前記ホウ素の拡散を実施するステップであって、これにより、前記第1の表面が前記n-ドーパントでドープされ、前記第2の表面が前記ホウ素でドープされる、ステップと、
を有する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA16
, 5F151CB15
, 5F151CB20
, 5F151DA03
