特許
J-GLOBAL ID：201803004103340030

表示装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について

, 
大原 宏樹

大原 宏樹 について

, 
鹿山 昌代

鹿山 昌代 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-038504
公開番号（公開出願番号）：特開2018-120231
出願日： 2018年03月05日
公開日（公表日）： 2018年08月02日
要約：
【課題】開口率の高い半導体装置または製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置または製造方法を提供する。【解決手段】第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタ130Aを有する駆動回路を有し、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層は透光性を有し、第2の薄膜トランジスタ130Aのゲート電極層107aは、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層と材料が異なり、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層よりも低抵抗の導電層110aを有し、第2の薄膜トランジスタ130Aのソース電極層119a及びドレイン電極層119bは、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第1の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電層120a,120bを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一基板上に、画素部と、駆動回路部と、を有し、 前記駆動回路部は、第1のトランジスタを有し、 前記画素部は、第2のトランジスタを有し、 前記第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と異なる透光性を有することを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136
FI (6件)：
G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 616S ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  G02F1/1368
Fターム (108件)：
2H192AA24 ,  2H192BC24 ,  2H192BC26 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CC04 ,  2H192DA12 ,  2H192EA67 ,  2H192EA74 ,  2H192FA73 ,  2H192FB03 ,  2H192FB05 ,  2H192FB15 ,  2H192GA03 ,  2H192HA44 ,  2H192HA47 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG19 ,  4M104HH16 ,  5C094AA05 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG35 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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