特許
J-GLOBAL ID：201803004106897310

積層体

発明者：
加持 義貴

加持 義貴 について

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小山 一郎

小山 一郎 について

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岩井 悠

岩井 悠 について

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中村 敦

中村 敦 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-014891
公開番号（公開出願番号）：特開2018-077533
出願日： 2018年01月31日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：
【課題】有機半導体上に良好なパターンを形成可能な積層体の提供。【解決手段】有機半導体膜の表面に少なくとも水溶性樹脂膜および化学増幅型感光性樹脂組成物からなるレジスト膜をこの順に有する積層体が有するレジスト膜形成用の化学増幅型感光性樹脂組成物であって、化学増幅型感光性樹脂組成物は下記に示す分解率が80モル%以上となる光酸発生剤を含有し、レジスト膜の露光部が有機溶剤を含む現像液に難溶となることでマスクパターンを形成でき、マスクパターンを形成後エッチングのマスクとしてマスクパターンが利用される、化学増幅型感光性樹脂組成物;【選択図】なし
請求項（抜粋）：
有機半導体膜の表面に少なくとも水溶性樹脂膜および化学増幅型感光性樹脂組成物からなるレジスト膜をこの順に有する積層体が有するレジスト膜形成用の化学増幅型感光性樹脂組成物であって、 前記化学増幅型感光性樹脂組成物は下記に示す分解率が80モル%以上となる光酸発生剤を含有し、 前記レジスト膜の露光部が有機溶剤を含む現像液に難溶となることでマスクパターンを形成でき、 マスクパターンを形成後エッチングのマスクとして前記マスクパターンが利用される、 化学増幅型感光性樹脂組成物; 前記光酸発生剤の分解率は、膜厚700nmの化学増幅型感光性樹脂組成物をシリコンウェハ上に成膜し、100°Cで1分間加熱し、その後、波長365nmで100mJ/cm2露光し、100°Cで1分間加熱したシリコンウェハを、メタノール/テトラヒドロフラン=50/50溶液に超音波を当てながら10分浸漬させ、抽出物をHPLCにて分析し、以下の式より算出した値とする; 分解率(%)=分解物量(mol)/仕込み量(mol)×100。
IPC (10件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  C08F 16/06 ,  C08F 26/10 ,  C08F 20/26 ,  C08F 12/22 ,  G03F 7/20
FI (11件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/11 502 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/40 521 ,  C08F16/06 ,  C08F26/10 ,  C08F20/26 ,  C08F12/22 ,  G03F7/20 501
Fターム (83件)：
2H196AA25 ,  2H196BA01 ,  2H196BA11 ,  2H196EA02 ,  2H196GA03 ,  2H196HA23 ,  2H196JA04 ,  2H196JA08 ,  2H197AA01 ,  2H197AA04 ,  2H197AA09 ,  2H197AA29 ,  2H197BA05 ,  2H197CA03 ,  2H197CA04 ,  2H197CA05 ,  2H197CA07 ,  2H197CA08 ,  2H197CA12 ,  2H197CE01 ,  2H197DB03 ,  2H197DB06 ,  2H197HA03 ,  2H197HA04 ,  2H197HA10 ,  2H197JA15 ,  2H197JA22 ,  2H225AF23P ,  2H225AF26P ,  2H225AF43P ,  2H225AF64P ,  2H225AF81P ,  2H225AF82P ,  2H225AF83P ,  2H225AH03 ,  2H225AH04 ,  2H225AH05 ,  2H225AH12 ,  2H225AJ12 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ52 ,  2H225AJ53 ,  2H225AM01N ,  2H225AM04N ,  2H225AM10N ,  2H225AM53N ,  2H225AM58N ,  2H225AM66P ,  2H225AM67N ,  2H225AN11N ,  2H225AN39P ,  2H225AN61P ,  2H225AN62P ,  2H225AN65P ,  2H225AN71P ,  2H225AN85P ,  2H225AP01N ,  2H225BA01N ,  2H225BA26P ,  2H225BA32P ,  2H225CA12 ,  2H225CB06 ,  2H225CC01 ,  2H225CC15 ,  2H225CD05 ,  4J100AB07P ,  4J100AD02P ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100AQ08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BA20P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38 ,  5F146HA07 ,  5F146NA17 ,  5F146NA18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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