酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料、並びに透明導電性基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-084553
公開番号（公開出願番号）：特開2018-177621
出願日： 2017年04月21日
公開日（公表日）： 2018年11月15日
要約：

【課題】従来のミクロンオーダーサイズの単結晶に比べて大サイズであり、1:1:1:4相の結晶(InGaZnO4)の占有率の高い酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料並びに透明導電性基板の提供。【解決手段】インジウム、ガリウム、及び亜鉛を、In:Ga:Zn=1:1:a(a>1)で表されるモル比で含む試料棒を、フローティングゾーン法により1気圧を越える圧力下、酸素含有雰囲気中で加熱し、加熱により生成した融液を冷却することにより、(InGaO3)m(ZnO)n(m≧1、n≧1、m,n:整数)で表される組成を有する酸化物半導体の単結晶を製造する工程を含む、酸化物半導体単結晶の製造方法。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を下記式1で表されるモル比で含む試料棒を、フローティングゾーン法により1気圧を越える圧力下、酸素含有雰囲気中で加熱し、加熱により生成した融液を冷却することにより、下記式2で表される組成を有する酸化物半導体の単結晶を製造する工程を含む、酸化物半導体単結晶の製造方法。 In:Ga:Zn=1:1:a ・・・式1 (InGaO3)m(ZnO)n ・・・式2 〔式1中、aは、組成中に占めるZnのモル比を表し、a>1を満たす。式2中、m及びnは、整数を表し、m≧1及びn≧1を満たす。〕

IPC (2件)：

C30B 29/22 , C30B 13/28

FI (2件)：

C30B29/22 Z , C30B13/28

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AB06 , 4G077BC60 , 4G077CE03 , 4G077EA04 , 4G077EA07 , 4G077EC02 , 4G077FE03 , 4G077FE11 , 4G077FE17 , 4G077NF11

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭63-239117
特開昭63-210022
特開昭63-210023

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審査官引用 (14件)

特開昭63-239117
特開昭63-239117
特開昭63-210022

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