特許
J-GLOBAL ID：201803004428438753

半導体装置及びトランジスタ

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について

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遠藤 佑太

遠藤 佑太 について

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立石 真理

立石 真理 について

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高橋 正弘

高橋 正弘 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-117778
公開番号（公開出願番号）：特開2018-148237
出願日： 2018年06月21日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層及び酸化物半導体層と接する絶縁層を含む積層構造を含み、酸化物半導体層は、チャネルが形成される第1の層と、第1の層と絶縁層との間に設けられ、第1の層の伝導帯下端のエネルギーよりも真空準位に近い伝導帯下端のエネルギーを有する第2の層とを含む。上記において、第2の層は、酸化物半導体層と接する絶縁層と、チャネルとの間に欠陥準位が形成されることを抑制するバリア層として機能する。また、第1の層及び第2の層は、それぞれ巨視的には原子配列に周期性が見られない程度、又は、巨視的には長距離秩序性が見られない程度に極微細な結晶部を含む。例えば、1nm以上10nm以下の範囲で原子配列に周期性が確認される結晶部を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、 前記酸化物半導体層と前記ゲート電極層の間のゲート絶縁層と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、 を有し、 前記酸化物半導体層は、電子線のプローブ径を1nm以上10nm以下に収束させたナノビーム電子線回折における回折パターンにおいて、円周状に配置された複数のスポットが観察される第1の領域を有し、且つ前記第1の領域は、前記第1の層の断面方向からの透過型電子顕微鏡による観察において結晶構造が観察されないことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L27/105 441 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 371
Fターム (110件)：
5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40 ,  5F101BA02 ,  5F101BB02 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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